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碳化硅的性能，碳化硅是由该化学物的电子结构特点所决定的，形成碳化硅的碳元素和硅元素.具了解：碳和硅的四面体半径相应地等于0.77和1.17a，因此si-c之间的距离等于0.77+1.17=1.94a。

纯碳化硅是无色透明的晶体，碳化硅的特点是共价键，主要呈四面体方位的其他晶体具有删锌矿和纤维矿同晶形的结构。就能量性质而言，碳化硅是介于金刚石和硅之间。更接近于金刚石。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)。

碳化硅的共价特性和高强度，同时可以决定碳化硅具有一定能量和机械强度。在较低的温度下，在碳化硅生成和退火过程中可以观察到变体的转化，但是在这种情况下，退火的时间应当长一些。

碳化硅厂家生产的碳化硅为什么是第三代半导体重要的材料呢？

一、碳化硅器件的优势特性

碳化硅（SiC）是目前发展成熟的宽禁带半导体材料，对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从***层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。

二、与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：

1、高压特性

碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。

2、高频特性

3、高温特性

1、碳化硅是什么？     碳化硅是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。碳化硅存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。4H-碳化硅适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。

2、碳化硅有什么用？      以碳化硅为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平成熟，应用广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了的材料、器件和应用产业链。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。

在灰铁、球铁和可锻铸铁方面，都是通过SiC+FeO=Si+Fe+CO[1]这个反应，用SiC来降低FeO和MnO在渣中的含量，从而净化铁液。由于碳化硅的熔点较高，加入碳化硅的时间是关键，如果加入太晚，碳化硅未全部进行熔解扩散，其中未熔融的碳化硅会以颗粒状的形态存在于铁液中，在铁液浇注后反而会形成渣眼；如果加入时间太长，铁液经过长时间的熔炼后，碳化硅所形成的形核也会慢慢消失，只能起到简单的增硅作用。因此建议，碳化硅的加入时间好是在中频炉熔融1/3炉料时，并且炉料已经化清时加入，伴随着铁液的搅拌作用，碳化硅的扩散效果会更好。笔者公司通过对比不加和加1%碳化硅的原铁液白口，检测三角试块对比（图4、图5），加入碳化硅的原铁液白口为6mm，不加碳化硅的原铁液白口为10mm。由于碳化硅经过一系列的冶金反应，反应产物中非平衡石墨可作为石墨生长的有效，降低了原铁液的白口倾向。