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碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时，在实验室偶然发现的一种碳化物，当时误认为是金刚石的混合体，故取名金刚砂，1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法，也就是大家常说的艾奇逊炉，一直沿用至今，以碳质材料为炉芯体的电阻炉，通电加热石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。关于碳化硅的几个事件1905年 次在陨石中发现碳化硅。1907年 只碳化硅晶体发光二极管诞生。1955年 理论和技术上重大突破，LELY提出生长碳化概念，从此将SiC作为重要的电子材料。1958年 在波士顿召开次世界碳化硅会议进行学术交流。

随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能已经接近其物理极限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。***和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化的研发和产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。

1 .碳化硅主要是由硅元素和碳元素组成，在熔炼过程中硅原子进入铁水中，而碳原子大多数被燃烧。

       2.碳化硅应用在铸件中可以起到基底的作用。

       3.碳化硅的应用既可以增硅，又可以增碳，也可以降低生产成本，同时改变石墨形态，使铸件的石墨长度变短，从而提高了铸件的整体质量。

       4.碳化硅球在铸件生产中还可以起到孕育的作用。这为铸件的发展又提供了一项新技术，从而提高铸件的机械性能。